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鈣鈦礦電池激光刻蝕劃線設備

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更新時間：2024-12-13 06:54:50瀏覽次數(shù)：5次

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武漢元祿光電技術有限公司

經(jīng)營模式：其他

商鋪產(chǎn)品：25條

所在地區(qū)：湖北武漢市

聯(lián)系人：萬先生

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產(chǎn)品簡介

導電銀漿、ITO、FTO、氧化鋅、氧化鋯、氧化鈦、氧化鎳、碳粉、金、銀、銅、鋁等導電金屬、石墨烯、碳納米管、氧化物、鈣鈦礦電池Spiro-OMeTAD、Perovskite、SnO2、C60、PCBM等鈣鈦礦電池材料激光刻蝕劃線處理

詳細介紹

可根據(jù)需求將整個加工部分置入手套箱內(nèi)加工

根據(jù)不同場景的需求，配置納秒脈寬的紅外光纖（1064nm）、綠光（532nm）波段光源；皮秒脈寬的紅外光纖（1064nm）、綠光（532nm）、紫外（355nm）波段光源；飛秒脈寬的紅外光纖（1030nm）、綠光（515nm）波段光源進行微精細激光刻蝕、劃線、構造去除、劃片、表面剝離等應用。

適用于柔性PET/PI/PEN/玻璃等基底材料上的鈣鈦礦太陽能電池激光刻蝕劃線應用。

玻璃、PET、PI、PNT等基底上薄膜材料激光刻蝕，應用于觸摸屏、光伏太陽能電池、電至色玻璃等行業(yè)。

適用于導電銀漿、ITO、FTO、氧化鋅、氧化鋯、氧化鈦、氧化鎳、碳粉、金、銀、銅、鋁等導電金屬、石墨烯、碳納米管、氧化物、鈣鈦礦電池Spiro-OMeTAD、Perovskite、SnO2、C60、PCBM等材料處理。特別是針對鈣鈦礦電池領域的陰電極、鈣鈦礦空穴傳輸層、阻擋層、鈣鈦礦層、陽電極激光刻蝕劃線技術上有獨到的技術優(yōu)勢。

采用自主研發(fā)的控制軟件、直接導入CAD 數(shù)據(jù)CCD相機定位自動激光刻蝕，操作簡單，方便快捷；采用通過軟件實時調(diào)節(jié)振鏡與直線電機、電動升降工作臺的設計，加上真空吸附托盤裝置，能有效地解決激光刻蝕加工運行中的平穩(wěn)性。

設備集數(shù)控技術、激光技術、軟件技術等光機電高技術于一體，具有高靈活性、高精度、高速度等制造技術的特征。可大范圍內(nèi)進行各種圖案，各種尺寸的精密、高速刻蝕，并且能夠保證很高的產(chǎn)能，是一個可靠、穩(wěn)定和具有高性能價格比的產(chǎn)品。

主要構成：激光器、光路系統(tǒng)、運動控制系統(tǒng)、電控制系統(tǒng)、定位系統(tǒng)、抽塵系統(tǒng)、真吸附空系統(tǒng)、大理石龍門結構、鈑金結構件等。

型號	納秒紅外 ET650MIR		納秒綠光ET200MG		皮秒綠光/紫外 ET300MPS	飛秒紅外 ET300IRFS			實驗室用刻蝕機 ET200MIR
激光器	1064nm		532nm		532/355nm	1030nm			1064nm
波長/功率	20/30W		5/10W		10/15/30W	20W			20W
加工尺寸	100100/200200/300300/400300/600600/600900/700*1400mm可選可定制加工幅面								110110/140140/ 200*200mm可選
激光器頻率	1-2000KHz		30-150KHz		1-1000KHz	25-5000KHz			1-2000KHz
振鏡	10/14mm通光孔徑								10mm通光孔徑
聚焦鏡	4040/7070/110*110mm幅面（根據(jù)不同的應用場景選擇）								100-200mm可選
擴束鏡	2X		8X/10X						1.5X
聚焦光斑	＜30μm		＜30μm		＜10μm				＜50μm
最小線寬	＜30μm		＜30μm		＜10μm				＜50μm
	可根據(jù)需要可全部去除鍍層材料，如P4清邊處理
最小線間距	＜30μm		＜30μm		＜10μm				＜50μm
整機精度	±15μm								/
適用類型	均可兼容對柔性基底及玻璃基底表面材料處理
Z軸電機行程	50mm（自動軟件控制）								手動500mm
工作臺定位精度	±3μm								/
工作臺重復精度	±1μm								/
CCD相機定位精度	±3μm								/
刻蝕速度	刻蝕速度4000mm/s（單線）
設備尺寸/重量	120012001700mm（200200mm幅面內(nèi)）約1000Kg 大尺寸及雙光路 155014501750mm（600600mm幅面內(nèi)）約1800Kg							10507001660mm（LWH）約300Kg
設備功耗	＜2500W			＜3000W				＜1500W
設備文件格式	標準CAD DXF文件							DXF/PLT/JPG等
對比	用于P1導電層ITO/FTO單層材料處理，部分材料刻處理多層，特別是對清邊處理具有速度優(yōu)勢	相比較于納秒紅外可對P1/P2/P3/ P4刻蝕劃線，可對ITO/FTO、鈣鈦礦功能層、金屬/碳電極層進行刻蝕劃線		相比較于納秒紅外可對P1/P2/P3/ P4刻蝕劃線，可對ITO/FTO、鈣鈦礦功能層、金屬/碳電極層進行刻蝕劃線。優(yōu)勢在刻蝕下一層對上一層的損傷小，刻蝕邊緣影響小，火山口小			與皮秒脈寬波段相似，根據(jù)不同的場景選擇	只能針對單層材料刻蝕，可根據(jù)需要定制小型化產(chǎn)品幅面100-200mm
備注：量產(chǎn)后一般采用多種波段激光配合使用，非單臺機器完成所有膜層制作。