PN8143T內(nèi)部集成了脈寬調(diào)制控制器和功率MOSFET,專(zhuān)用于高性能、外圍元器件精簡(jiǎn)的交直流轉(zhuǎn)換開(kāi)關(guān)電源。該芯片提供了極為全面和性能優(yōu)異的智能化保護(hù)功能,包括周期式過(guò)流保護(hù)(外部可調(diào))、過(guò)載保護(hù)、過(guò)壓保護(hù)、CS短路保護(hù)、軟啟動(dòng)功能。通過(guò)Hi-mode、Eco-mode、Burst-mode的三種脈沖功率調(diào)節(jié)模式混合技術(shù)和特殊器件低功耗結(jié)構(gòu)技術(shù)實(shí)現(xiàn)了超低的待機(jī)功耗、全電壓范圍下的效率。良好的EMI表現(xiàn)由頻率調(diào)制技術(shù)和Soft Driver技術(shù)充分保證。該芯片還內(nèi)置智能高壓?jiǎn)?dòng)模塊。PN8143T為需要超低待機(jī)功耗的高性?xún)r(jià)比反激式開(kāi)關(guān)電源系統(tǒng)提供了一個(gè)的實(shí)現(xiàn)平臺(tái),非常適合六級(jí)能效標(biāo)準(zhǔn)、Eur2.0、能源之星的應(yīng)用。
PN8143T芯片特征
■內(nèi)置1000V高雪崩能力的功率MOSFET
■ Hi-mode(60kHz PWM)
■ Eco-mode(動(dòng)態(tài)PFM)
■ Burst-mode (25kHz間歇工作模式)
■ 改善EMI的頻率調(diào)制技術(shù)
■ 空載待機(jī)功耗 < 75 mW @230VAC
■ 軟啟動(dòng)技術(shù)
■ 內(nèi)置高壓?jiǎn)?dòng)電路
■ 內(nèi)置線電壓補(bǔ)償和斜坡補(bǔ)償
■ 優(yōu)異全面的保護(hù)功能: 過(guò)溫保護(hù)(OTP)、過(guò)載保護(hù)(OLP)、外部電阻可調(diào)式周期過(guò)流保護(hù)(OCP)、過(guò)壓保護(hù)(OVP)、 CS短路保護(hù)。
封裝/訂購(gòu)信息
典型應(yīng)用電路圖
應(yīng)用領(lǐng)域
■ 開(kāi)關(guān)電源適配器和電池充電器
■ 白色家電、個(gè)人電腦、音響等輔助電源
■ LCD電視機(jī)輔助電源
PN8143TSEC-R1電源芯片采用SOP8封裝,典型功率85~265 VAC是8W,內(nèi)置1000V高雪崩能力的功率MOSFET,典型應(yīng)用于智能電表、斷路器等產(chǎn)品,更多PN8143T三相智能電表芯片產(chǎn)品手冊(cè)及應(yīng)用資料請(qǐng)向我們申請(qǐng)。>>