實(shí)心電絕緣材料的交流損耗特性
 

　　D=K''/K'  該歷史標(biāo)準(zhǔn)的zui后批準(zhǔn)版本參考D=tanδ=cotθ=Xp/Rp=G/ωCp=1/ωCpRp 式中：G=等效交流電導(dǎo)，Xp=并聯(lián)電抗，Rp=等效交流并聯(lián)電阻，Cp=并聯(lián)電容，ω=2πf(假設(shè)為正弦波形狀)耗散因子的倒數(shù)為品質(zhì)因子Q，有時(shí)成為儲(chǔ)能因子。對(duì)于串聯(lián)和并聯(lián)模型，電容器耗散因子D都是相同的，按如下表示為：D=ωRsCs=1/ωRpCp   D618     試驗(yàn)用塑料調(diào)節(jié)規(guī)程這些試驗(yàn)方法提供了各種電極，裝置和測(cè)量技術(shù)的通用信息。讀者如對(duì)某一特定材料相關(guān)的議題感興趣的話，必須查閱ASTM標(biāo)準(zhǔn)或直接適用于被測(cè)試材料的其它文件。
 

　　介電常數(shù)介質(zhì)損耗測(cè)試儀術(shù)語(yǔ)定義：這些試驗(yàn)方法所用術(shù)語(yǔ)定義以及電絕緣材料相關(guān)術(shù)語(yǔ)定義見術(shù)語(yǔ)標(biāo)準(zhǔn)D1711。本標(biāo)準(zhǔn)術(shù)語(yǔ)定義：電容，C，名詞——當(dāng)導(dǎo)體之間存在電勢(shì)差時(shí)，導(dǎo)體和電介質(zhì)系統(tǒng)允許儲(chǔ)存電分離電荷的性能。討論——電容是指電流電量 q與電位差V之間的比值。電容值總是正值。當(dāng)電量采用庫(kù)倫為單位，電位采用伏特為單位時(shí)，電容單位為法拉，即：C=q/V (1)耗散因子(D)，(損耗角正切)(tanδ)，名詞——是指損耗指數(shù)(K'')與相對(duì)電容率(K')之間的比值，它還等于其損耗角(δ)的正切值或者其相位角(θ)的余切值(見圖1和圖2)。
 

　　E104     用水溶液保持相對(duì)恒定濕度的標(biāo)準(zhǔn)實(shí)施規(guī)程E197     室溫之上和之下試驗(yàn)用罩殼和服役元件規(guī)程(1981年取消)串聯(lián)和并聯(lián)部分之間的關(guān)系滿足以下要求：Cp=Cs/(1+D2)  Rp/Rs=(1+D2)/D2=1+(1/D2)=1+Q2     D1531    用液體位移法測(cè)定相對(duì)電容率(介電常數(shù))與耗散因子的試驗(yàn)方法本標(biāo)準(zhǔn)經(jīng)批準(zhǔn)用于*所有機(jī)構(gòu)。介電常數(shù)介質(zhì)損耗測(cè)試儀范圍本試驗(yàn)方法包含當(dāng)所用標(biāo)準(zhǔn)為集成阻抗時(shí)，實(shí)心電絕緣材料樣本的相對(duì)電容率，耗散因子，損耗指數(shù)，功率因子，相位角和損耗角的測(cè)定。列出的頻率范圍從小于1Hz到幾百兆赫茲。注1：在普遍的用法，“相對(duì)”一詞經(jīng)常是指下降值。
 

　　D5032    用飽和甘油溶液方式維持恒定相對(duì)濕度的規(guī)程D374     固體電絕緣材料厚度的標(biāo)準(zhǔn)試驗(yàn)方法交流電損耗和電容率測(cè)量,” 工程電介質(zhì), Vol. IIB, 實(shí)心絕緣材料的電學(xué)性能, 測(cè)量技術(shù), R. Bartnikas, Editor, STP 926,ASTM, Philadelphia, 1987.R. Bartnikas, 第1章, “固體電介質(zhì)損耗,” 工程電介質(zhì),Vol IIA, 實(shí)心絕緣材料的電學(xué)性能: 分子結(jié)構(gòu)和電學(xué)行為, R. Bartnikas and R. M. Eichorn, Editors, STP 783, ASTM, Philadelphia, 1983.
 

　　介電常數(shù)介質(zhì)損耗測(cè)試儀引用文件ASTM標(biāo)準(zhǔn)：D1711    電絕緣相關(guān)術(shù)語(yǔ)D1082    云母耗散因子和電容率(介電常數(shù))試驗(yàn)方法。