用于電子顯微鏡的樣品通常受益于薄膜的添加。它通常是導電材料，例如Pt，Pd或Au。這些導電層有助于抑制電荷，減少局部光束加熱引起的熱損傷，并改善二次電子信號。

傳統(tǒng)上，這些薄膜是使用PVD技術(shù)生長的。隨著技術(shù)的進步，某些類型的樣品不能通過PVD提供，因為需要涂層的特征無法進入現(xiàn)場生長線。

研究人員將受益于ALD生長的導電薄膜，因為已經(jīng)開發(fā)出針對小樣品導電金屬生長進行了優(yōu)化的系統(tǒng)（與臺式濺射的價格點相同） 

為保形導電薄膜提供了用于 3D 樣品制備的解決方案，同時還提供目前使用濺射/蒸發(fā)生長的傳統(tǒng) 2D 鍍膜。我們不僅突破了界限，而且是當前樣品制備過程的有效替代品，所有這些都在臺式配置中，價格相當。

熱ALD / PEALD

沉積工藝：
金屬：Ru、Ti、Co、…

氧化物：Al2O3、HfO2、TiO2、SnO2、NiOx、ZnO、ZrO、SiO2、RuO、，。。。

氮化物：TiN、TaN等，。。

基板尺寸：工件Z大為6英寸

源注入：雙型噴頭

基板加熱器溫度：RT至Z高350℃（@晶片）

前軀體化學源數(shù)量：3套

源瓶加熱：RT至150℃

射頻功率：600W@13.56Mhz

極限壓力：≤5.0×10-3乇

泵：干式泵或旋轉(zhuǎn)泵

沉積均勻度：≤±3%

系統(tǒng)控制：PC控制（UPRO軟件）

可選 源瓶加熱溫度200℃

尺寸（寬*長*高）850mm*720mm*600mm