System 100 -等離子刻蝕與沉積設備
該設備是一個靈活和功能強大的等離子體刻蝕和淀積工藝設備。 采用真空進樣室進樣可進行快速的晶片更換、采用多種工藝氣體并擴大了允許的溫度范圍。
具有的工藝靈活性，適用于化合物半導體，光電子學，光子學，微機電系統和微流體技術， PlasmalabSystem100可以有很多的配置，詳情如下。
主要特點
可處理8 "晶片，也具有小批量（6 × 2"）預制和試生產的能力
選擇單晶片/批處理或盒式進樣，采用真空進樣室。 該PlasmalabSystem100可以集成到一個集群系統中，采用機械手傳送晶片，生產工藝中采用全片盒到片盒晶片傳送. 采用一系列的電極進行襯底溫度控制，其溫度范圍為-150 ° C至700° C
用于終端檢測的激光干涉和/或光發射譜可安裝在Plasmalab System100以加強刻蝕控制
選的6 或12路氣箱為工藝流程和工藝氣體提供了選擇上的靈活性，并可以放置在遠端，遠離主要工藝設備
工藝
一些使用Plasmalab System100等離子刻蝕與沉積設備的例子：
低溫硅刻蝕，深硅刻蝕和SOI工藝，應用于MEMS ，微流體技術和光子技術
用于激光器端面的III - V族刻蝕工藝，通過刻蝕孔、光子晶體和許多其他應用，材料范圍廣泛（InP, InSb, InGaAsP, GaAs, AlGaAs, GaN, AlGaN,等）
GaN、AlGaN等的預生產和研發工藝，比如HBLED和其它功率器件的刻蝕
高品質，高速率SiO2沉積，應用于光子器件
金屬（Nb, W）刻蝕
的單晶片刻蝕技術-PlasmaPro100 Sapphire。牛津儀器致力于固態照明的技術革新，憑著在HBLED相關材料方面經驗豐富，設備使用成本控制和符合產量要求的同時，我們的新技術還可以地提高客戶的產品良率。
針對HBLED茍刻的化學環境要求，PlasmaPro100 Sapphire具有特殊的設計，可以在直徑為200mm的晶片上進行快速和均勻的刻蝕。牛津儀器一直努力地為客戶提供創新的、有效控制成本和可靠的工藝方案。這個設計的設備滿足了所有的要求。
主要特點和優勢包括：具有的靜電吸盤技術，能固定藍寶石，和生長藍寶石或硅上的氮化鎵；高功率的ICP能生產出高密度的等離子體；磁隔離區可提高離子控制和均勻性；高電導泵水系統可以在低壓下地運送氣體。
