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是德功率器件分析儀

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南京芯測(cè)軟件技術(shù)有限公司,專業(yè)打造半導(dǎo)體晶圓級(jí)測(cè)試及芯片檢測(cè)等系統(tǒng)集成平臺(tái)。公司致力為客戶提供半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備國產(chǎn)化改造,以及系統(tǒng)集成的一站式平臺(tái)服務(wù)。公司的目標(biāo)是成為國內(nèi)晶圓級(jí)在片測(cè)試,器件測(cè)量系統(tǒng)軟件、硬件的先進(jìn)供應(yīng)商,以滿足國內(nèi)用戶需求,開發(fā)半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備和系統(tǒng)集成軟件定制化服務(wù)。

南京芯測(cè)的在專注于在片測(cè)試系統(tǒng)設(shè)備經(jīng)銷與晶圓在片測(cè)試軟件的研發(fā)。涉及的設(shè)備包括:手動(dòng)探針臺(tái)、半自動(dòng)探針臺(tái)、全自動(dòng)探針臺(tái)、硅光探針臺(tái)、射頻探針臺(tái)、高低溫探針臺(tái)、除此之外涉及經(jīng)銷芯片ESD測(cè)試系統(tǒng)、封裝及工藝檢測(cè)設(shè)備等。我們服務(wù)的領(lǐng)域涵蓋半導(dǎo)體晶圓級(jí)在片測(cè)試、射頻微波器件測(cè)量,大功率器件測(cè)試、微組裝封裝工藝檢測(cè)、失效分析、材料測(cè)試等應(yīng)用行業(yè)

 

 

 

 

探針臺(tái),芯片ESD測(cè)試設(shè)備,TLP測(cè)試設(shè)備,CDM測(cè)試設(shè)備
是德科技功率器件分析儀B1506A提供完整的電路設(shè)計(jì)解決方案,實(shí)現(xiàn)對(duì)車規(guī)級(jí)大功率半導(dǎo)體的高效安全的測(cè)試驗(yàn)證。
是德功率器件分析儀 產(chǎn)品信息

對(duì)新能源汽車而言,汽車不再使用汽油發(fā)動(dòng)機(jī)、油箱或變速器,“三電系統(tǒng)”即電池、電機(jī)、電控系統(tǒng)取而代之,新增DC-DC模塊、電機(jī)控制系統(tǒng)、電池管理系統(tǒng)、高壓電路等部件。而功率半導(dǎo)體 功率器件分析儀B1506A是電子裝置中電能轉(zhuǎn)換與電路控制的核心,在電子電路中起到功率轉(zhuǎn)換、功率放大、功率開關(guān)、線路保護(hù)和整流等作用。


挑戰(zhàn)

功率半導(dǎo)體兼有高輸入阻抗和低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn);同時(shí)其芯片屬于車規(guī)級(jí)電力電子芯片,需要工作在大電流、高電壓、高頻率的環(huán)境下,對(duì)芯片的可靠性要求較高。這給其測(cè)試帶來了一定的困難:

具體體現(xiàn)在以下幾個(gè)方面:

●功率半導(dǎo)體是多端口器件,需要多種儀表協(xié)同測(cè)試;

●功率半導(dǎo)體的漏電流越小越好,需要高精度的設(shè)備進(jìn)行測(cè)試;

●功率半導(dǎo)體的電流輸出能力很強(qiáng),測(cè)試時(shí)需要快速注入1000A電流,并完成壓降的釆樣;

●車規(guī)級(jí)功率半導(dǎo)體需要耐壓較高,一般從幾千到一萬伏不等,需要測(cè)量儀器具備高壓輸出和高壓下NA漏電流測(cè)試的能力;

●由于車規(guī)級(jí)功率半導(dǎo)體工作在強(qiáng)電流下,自加熱效應(yīng)明顯,嚴(yán)重時(shí)容易造成器件燒毀,需要提供μs級(jí)電流脈沖信號(hào)減少器件自加熱效應(yīng);

●輸入輸出電容對(duì)器件的開關(guān)性能影響很大,不同電壓下器件等效結(jié)電容不同,C-V測(cè)試十分有必要。


是德科技的應(yīng)對(duì)

對(duì)應(yīng)靜態(tài)測(cè)試,是德科技采用了業(yè)內(nèi)認(rèn)可的傳統(tǒng)測(cè)試方法將I-V,C-V結(jié)合在一起,并實(shí)現(xiàn)其自動(dòng)化測(cè)試。

●高電流測(cè)試時(shí)的連線方法——四線法連線(Remote Sense)

2線法測(cè)試適用于阻值比較大,電流比較小的測(cè)試;而當(dāng)被測(cè)電阻非常小,測(cè)試電流較大時(shí),應(yīng)用4線法連線方式去測(cè)試。在高增益器件測(cè)試中,Gate端微弱的電壓變化也會(huì)導(dǎo)致導(dǎo)通電流劇烈變化。推薦Gate端也要做4線連接,以便獲得正確穩(wěn)定的控制電壓。

●自熱效應(yīng)——脈沖測(cè)試(Pulse Measurement)

IGBT等大功率器件由于其功率特點(diǎn)極易產(chǎn)生大量熱量,傳統(tǒng)直流測(cè)試會(huì)使溫度迅速上升,嚴(yán)重時(shí)會(huì)使器件損壞,且不符合器件工作特性,需要脈沖測(cè)試。快速的脈沖測(cè)試(微秒至毫秒級(jí)別),減少功率器件在電壓/電流偏置下的stress時(shí)間。

●高壓電容測(cè)試——BiasT,Protection Module,CV測(cè)試

當(dāng)電容測(cè)試遇到更高的直流電壓要求時(shí),可以通過biasT來把這個(gè)高壓的直流信號(hào)引入CV測(cè)試。


敲黑板劃重點(diǎn):

功率器件分析儀B1506A功率半導(dǎo)體在研發(fā)、生產(chǎn)和失效分析等領(lǐng)域的測(cè)試。

B1506A功率器件分析儀提供了完整的電路設(shè)計(jì)解決方案,幫助企業(yè),高校以及研發(fā)單位功率半導(dǎo)體產(chǎn)品研發(fā),實(shí)現(xiàn)對(duì)功率半導(dǎo)體的高效,安全的測(cè)試驗(yàn)證。為研發(fā),生產(chǎn),失效分析等多個(gè)場景提供測(cè)試服務(wù)。

●可用于3000V/1500A高功率測(cè)試;

●自動(dòng)化程度高,生成測(cè)試報(bào)告供用戶進(jìn)行數(shù)據(jù)分析和處理;

●強(qiáng)大的測(cè)試能力,涵蓋C/V,I/V,Qg,CV,Rg,Ron,Ciss等參數(shù)。

數(shù)據(jù)表特征化模式提供所有IV參數(shù)(Vth、Vsat、Ron、擊穿、泄漏、輸出/傳輸曲線等)的快速準(zhǔn)確測(cè)量;測(cè)量所有三個(gè)終端設(shè)備電容(Ciss、Coss、Crss、CIS、Coes、CRS、Rg),無需更改任何電纜連接。

•門電荷(Qg)測(cè)量和功率損耗計(jì)算;

•寬電壓和電流輸出范圍(3 kV/1500 A);

•熱測(cè)試能力(-50°C至+250°C)。


關(guān)鍵詞:電纜
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