1、主要特點
數字化系統協同設計、MEMS工藝制造
壓力與溫度擴散硅元件單片集成
優良表面態和時漂特性
多開/閉合惠斯登電橋連接形式
智能傳感器的核心芯片
適于表壓、絕壓、差壓與溫度組合測量
覆蓋低、中、高寬壓力量程范圍
2、主要性能技術指標
序號
項目
規格指標
備注
1
組合敏感類型
表壓-溫度
絕壓-溫度
差壓-靜壓-溫度
表壓-絕壓-溫度
2
硅晶圓類型
全硅單晶
SOI硅單晶
3
基準壓力量程
表壓、
絕壓
差壓
0～1kPa、2kPa、3kPa、6kPa、10kPa、20kPa、30kPa、60kPa、100kPa、200kPa、300kPa、600kPa、1MPa、2MPa、3MPa、6MPa、10MPa
100kPa、200kPa、300kPa、600kPa、1MPa、2MPa、3MPa、 6MPa、10MPa、20MPa、20MPa、40MPa、60MPa、100MPa
0～1kPa、2kPa、3kPa、6kPa、10kPa、20kPa、30kPa、60kPa、100kPa、200kPa、300kPa、600kPa、1MPa、2MPa、3MPa、6MPa、
過載能力
≥3倍基準量程（≤10MPa）；≥1. 5倍基準量程（＞10MPa）；
≥1. 25倍基準量程（≥60MPa）
雙向≥4倍基準量程
1*
橋路電阻
3～5kΩ
4
零點輸出
≤ ±20mV
2*
5
滿量程輸出
≥20mV（20kPa、35kPa）；≥30 mV（20kPa、30kPa）；≥50 mV（其它基準量程）
2*
6
準確度
≤ ±0.15%FS （其它基準量程）；≤ ±0.25%FS （≤60kPa、≥60MPa、100MPa）；
± 0.5%FS（≤10kPa）
3*
7
工作溫度
-55～+125℃；-55～+150℃
8
零點熱漂移
≤ 6%FS/℃（≤10kPa）
≤ 4%F.S /55℃（其它基準量程）
4*、5*
9
滿量程熱漂移
≤10%FS/℃（≤10kPa）
≤ 8%F.S /55℃（其它基準量程）
4*、5*
10
PN結硬擊穿電壓
≥25V(I=10μA檔)
11
短期穩定性
±0.05%FS/8h
12
供電電源
恒流0.5～1.5mA,或恒壓5V～10V
13
電橋形式
閉橋
14
熱敏電阻阻值
40～60kΩ
6*
15
熱敏電阻溫度系數
≥50Ω/℃
6*
芯片表面尺度
≤3.5×2.75（mm）
≤2.3×2（mm）
≤1.55×1.55（mm）
7*
注：1*. 100MPa量程過載為本量程上限；
2*. 5VDC恒壓激勵，恒溫25℃；
3*.非線性數據計算為最小二乘法；
4*. 1mA恒流激勵，恒溫25℃；
5*. 55℃溫區為-30～25℃或25～80℃；
6*.可定制；
7*.硅片厚度c=500μm。
注：可提供定制服務，如有需求請與營銷人員聯系。
