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Compact ALD原子層沉積系統(tǒng)報(bào)價(jià)

參考價(jià)面議
具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
  • 公司名稱科睿設(shè)備有限公司
  • 品       牌
  • 型       號(hào)CompactALD
  • 所  在  地上海市
  • 廠商性質(zhì)其他
  • 更新時(shí)間2024/11/23 18:28:44
  • 訪問(wèn)次數(shù)98
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科睿設(shè)備有限公司(Cross-Tech Equipment Co.,Ltd )為多家國(guó)外高科技儀器廠家在中國(guó)地區(qū)的代理。科睿公司一貫秉承『誠(chéng)信』、『品質(zhì)』、『服務(wù)』、『創(chuàng)新』的企業(yè)文化,為廣大中國(guó)用戶提供儀器、設(shè)備,周到的技術(shù)、服務(wù)和*的整體解決方案。在科技日新月異、國(guó)力飛速發(fā)展的中國(guó),納米科學(xué)研究、薄膜材料(包括半導(dǎo)體)生長(zhǎng)和表征、表面材料物性分析、生物藥物開(kāi)發(fā)、有機(jī)高分子合成等等領(lǐng)域,都需要與歐美發(fā)達(dá)國(guó)家*接軌的儀器設(shè)備平臺(tái)來(lái)實(shí)現(xiàn)。科睿設(shè)備有限公司有幸成長(zhǎng)在這個(gè)火熱的年代,我們?cè)敢饣癁橐蛔鶚蛄海?jiàn)證中國(guó)科技水平的提升,與中國(guó)科技共同飛速成長(zhǎng)。
      科睿設(shè)備有限公司(Cross-Tech Equipment Co.,Ltd)總部設(shè)在中國(guó)香港,在中國(guó)上海設(shè)立了分公司,在國(guó)內(nèi)多個(gè)城市設(shè)立了辦事處或維修站,旨在為客戶提供*的產(chǎn)品和服務(wù)。2010年,科睿設(shè)備有限公司在上海設(shè)立備品倉(cāng)庫(kù)及維修中心,同時(shí)提供在大陸的各項(xiàng)技術(shù)服務(wù)和后期的維修保障服務(wù),我們擁有專業(yè)的應(yīng)用維修人員,并且都曾到國(guó)外廠家進(jìn)行了專門的培訓(xùn)。上海配備了多種維修部件,能使我們的服務(wù)更加快捷和方便。我們承諾24小時(shí)電話響應(yīng),72小時(shí)內(nèi)趕到現(xiàn)場(chǎng)維修。以利于更好、更快的為中國(guó)大陸服務(wù)!
      因?yàn)樾湃?所以理解.我們理解用戶的困難和需求。我們已經(jīng)為國(guó)內(nèi)眾多科研院所和大學(xué)根據(jù)用戶的要求配制和提供了上百套系統(tǒng),主要用戶包括:中科院物理所,中科院半導(dǎo)體所,中科院大連化學(xué)物理研究所,國(guó)家納米中心,上海納米中心,北京大學(xué),清華大學(xué),中國(guó)科技大學(xué),南京大學(xué),復(fù)旦大學(xué),上海交通大學(xué),華東理工大學(xué),浙江大學(xué),中山大學(xué),西安交通大學(xué),四川大學(xué),中國(guó)工程物理研究院,香港大學(xué),香港城市大學(xué),香港中文大學(xué),香港科技大學(xué)等。



光刻機(jī),鍍膜機(jī),磁控濺射鍍膜儀,電子束蒸發(fā)鍍膜儀,開(kāi)爾文探針系統(tǒng)(功函數(shù)測(cè)量),氣溶膠設(shè)備,氣溶膠粒徑譜儀,等離子增強(qiáng)氣相沉積系統(tǒng)(PECVD),原子層沉積系統(tǒng)(ALD),快速退火爐,氣溶膠發(fā)生器,稀釋器,濾料測(cè)試系統(tǒng)
該ALD擁有達(dá)到或超過(guò)市場(chǎng)上其他品牌的功能,同時(shí)易于使用和維護(hù) - 成本低于當(dāng)今市場(chǎng)上的價(jià)格腔室溫度:室溫到325°C±1°C;前軀體溫度從室溫到 150 °C ± 2 °C(帶加熱夾套)市場(chǎng)上Z小的占地面積(2.5 平方英尺),臺(tái)式 安裝和潔凈室兼容簡(jiǎn)單的系統(tǒng)維護(hù)和實(shí)用程序和 市場(chǎng)上的前體使用流線型腔室設(shè)計(jì)和小腔室體積快速循環(huán)能力全硬件和軟硬件聯(lián)鎖,即使操作安全 在多用戶環(huán)境中
Compact ALD原子層沉積系統(tǒng)報(bào)價(jià) 產(chǎn)品信息

用于電子顯微鏡的樣品通常受益于薄膜的添加。它通常是導(dǎo)電材料,例如Pt,Pd或Au。這些導(dǎo)電層有助于抑制電荷,減少局部光束加熱引起的熱損傷,并改善二次電子信號(hào)。

傳統(tǒng)上,這些薄膜是使用PVD技術(shù)生長(zhǎng)的。隨著技術(shù)的進(jìn)步,某些類型的樣品不能通過(guò)PVD提供,因?yàn)樾枰繉拥奶卣鳠o(wú)法進(jìn)入現(xiàn)場(chǎng)生長(zhǎng)線。

研究人員將受益于ALD生長(zhǎng)的導(dǎo)電薄膜,因?yàn)橐呀?jīng)開(kāi)發(fā)出針對(duì)小樣品導(dǎo)電金屬生長(zhǎng)進(jìn)行了優(yōu)化的系統(tǒng)(與臺(tái)式濺射的價(jià)格點(diǎn)相同) 

為保形導(dǎo)電薄膜提供了用于 3D 樣品制備的解決方案,同時(shí)還提供目前使用濺射/蒸發(fā)生長(zhǎng)的傳統(tǒng) 2D 鍍膜。我們不僅突破了界限,而且是當(dāng)前樣品制備過(guò)程的有效替代品,所有這些都在臺(tái)式配置中,價(jià)格相當(dāng)。


熱ALD / PEALD

沉積工藝:
金屬:Ru、Ti、Co、…

氧化物:Al2O3、HfO2、TiO2、SnO2、NiOx、ZnO、ZrO、SiO2、RuO、,。。。

氮化物:TiN、TaN等,。。


基板尺寸:工件Z大為6英寸

源注入:雙型噴頭

基板加熱器溫度:RT至Z高350℃(@晶片)

前軀體化學(xué)源數(shù)量:3套

源瓶加熱:RT至150℃

射頻功率:600W@13.56Mhz

極限壓力:≤5.0×10-3乇

泵:干式泵或旋轉(zhuǎn)泵

沉積均勻度:≤±3%

系統(tǒng)控制:PC控制(UPRO軟件)

可選 源瓶加熱溫度200℃

尺寸(寬*長(zhǎng)*高)850mm*720mm*600mm


關(guān)鍵詞:電子顯微鏡 PC
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