無掩膜曝光機
美國IMP(Intelligent Micro Patterning,LLC)公司憑借多年的光刻設備生產(chǎn)經(jīng)驗和多項無掩模曝光技術(shù),已成為無掩模紫外光刻領(lǐng)域的。國內(nèi)參考用戶較多!
產(chǎn)品優(yōu)點:
微米和亞微米光刻,最小0.6微米光刻精度
紫外光直寫曝光,無需掩模,大幅節(jié)約了掩模加工費用
靈活性高,可直接通過電腦設計光刻圖形,并可根據(jù)設計要求隨意調(diào)整。
可升級開放性系統(tǒng)設計。
按照客戶要求可從低端到高自由配置
使用維護簡單, 設備耗材價格低。
應用范圍廣,目前廣泛應用于半導體、生物芯片、微機電系統(tǒng)、傳感器、微化學、光學等領(lǐng)域。
SF-100 型
可配置汞燈光源和LED光源,多種波長曝光(385nm, 405nm)
目鏡最小像素 1um
1.25 micron with 4X reduction lens
0.50 micron with 10X reduction lens
0.25 micron with 20X reduction lens
無掩膜曝光機
平臺參數(shù)
全自動電腦控制位移
高精度三維線性驅(qū)動樣品臺
X and Y 軸運動:
移動范圍: 100--300mm
準確性: +/-200 nm per axis
重復性: +/- 50 nm per axis
Z 軸運動:
移動范圍: 25 mm
準確性: +/- 200 nm
重復性: +/- 75 nm
Theta 轉(zhuǎn)動:
轉(zhuǎn)動角度: 360 degrees
準確性: +/-5 arc sec
重復性: +/-2 arc sec
激光共聚焦對準功能