脈沖激光沉積系統(PLD)
儀器簡介：
PLD是將脈沖激光透過合成石英窗導入真空腔內照射到成膜靶上，靶被照射后吸收高密度能量而形成的plume狀等離子體狀態，然后被堆積到設在對面的基板上而成膜。PLD方法可以獲得擁有熱力學理論上準穩定狀態的組成和構造的人工合成新材料。
我們PLD系統擁有好的性能價比,具有以下優異的性能:
主真空室腔體直徑18英寸，本底真空可達高真空：9X10E-9 Torr（要用Load-lock）。
主真空室抽氣系統前級泵采用無油干泵
★基片加熱溫度Z高可達1000℃。
基片臺可360度旋轉（轉速1-20rpm可調）。
★基片與靶之間方位采用靶在下方，基片在上方，均水平放置。基片與靶間距沿Z軸（即垂直地面方向）可調。
8個裝1英寸靶的坩堝（或靶盤），各坩堝之間要求相互隔離，不互相污染。
★激光器：Coherent 公司COMPexPro 201：Wavelength: 248 nm (KrF)；Pulse Energy：700mJ；Max. Rep. Rate ：10 Hz；Energy stability (one sigma) : 1%； Average Power: 5W；Pulse Duration: 25 ns；Beam Dimensions(V×H): 24×10 mm；Beam Divergence(V×H): 3×1 mrad.
★ Dual Load Lock System, 兩次裝樣-送樣系統，高效保證傳片精準
設備及光學臺可聯接在一起，始終保持腔體和激光束位置穩定。支撐腿帶可調節的轉輪，方便在地面整體（包括腔體系統和激光器）同時移動與固定。
感謝上海交通大學 使用此研究級高性能的PLD系統（購買5套）， 望我們高性能價格比的PLD為廣大科研人員提供幫助！！
脈沖激光沉積系統(PLD)
具體配置:
一， 超高真空腔體
二， 分子泵
三， 激光掃描系統
四， 襯底加熱鉑金片，Z高可達1200度
五，基板加熱構造設計
六， 基板加熱電源
七， Rheed
八， Rheed軟件
九， 多靶位 ，標準配置6個1英寸靶
十，Load-Lock樣品傳輸腔體
技術參數：
一， 靶。
數量6個，大小1-2英寸，被激光照射時可自動旋轉，靶的選擇可通過步進電機控制。
二， 基板。
采用適合于氧氣環境鉑金加熱片，大小2英寸，加熱溫度可達1200攝氏度，溫度差<3%，加熱時基板可旋轉，工作環境Z大壓力是300mtorr。
三， 基板加熱電源。
四， 超高真空成膜室腔體。
不銹鋼sus304材質，內表面電解拋光，本底真空度<5e-7 pa="">五， 樣品傳輸室。
不銹鋼sus304材質，內表面電解拋光，本底真空度<5e-5 pa="">六， 排氣系統。
分子泵和干式機械泵，進口品牌。
七， 閥門。
采用超高真空擋板閥。
八， 真空檢測。
真空計采用進口產品
九， 氣路兩套。
采用氣體流量計（MFC）。
十， 薄膜成長監控系統。
采用掃描型Rheed（可差分抽氣）。
十一， 監控軟件系統。
基板溫度的監控和設定，基板和靶的旋轉，靶的更換。
十二， 各種電流導入及測溫端子。
十三， 其它各種構造
各種超高真空位移臺，磁力傳輸桿，超高真空法蘭，超高真空密封墊圈，超高真空用波紋管等。
另外我公司注重發展和銷售大面積的PLD 系統和電子束蒸發器和濺射沉積。目前，公司提供以下物理氣相沉積系統和元件產品：
? 大面積脈沖激光沉積系統
? 脈沖激光沉積元件包括靶材操縱器和智能窗
? 電子束蒸發系統
? 磁控和/或離子束濺射系統
? 組合沉積系統
? 定制的基底加熱器
產品具有如下基本特點：
1. 系統可根據客戶的特殊要求設計，操作簡單方便。可使用大尺寸靶材生長大面積薄膜，基底的尺寸直徑可從50mm 到200mm
2. 電拋光腔體，主腔呈方形，其前部是鉸鏈門，方便更換基底和靶材
3. 雙軸磁性耦合旋轉靶材操縱器，可手動或計算機控制選定靶材。磁力桿傳送基底到基底旋轉器上，可手動或電動降低旋轉器，實現簡單快速地更換
4. 主腔室預留備用的腔口，如用于觀察靶材和基底，安裝原子吸收或發射光譜儀、原位橢偏儀、離子槍或磁控濺射源、殘留氣體分析器和離子探針或其他的元件等等
5. 系統使用程序化的成像鏈(Optical Train) ，包括聚焦透鏡、反射鏡臺、動力反射鏡支撐架和智能視窗等，無需頻繁地校準光學組件。在激光通過大直徑靶材時可使其光柵掃描化（rastering），以獲得均勻性的薄膜。智能視窗不僅可精確監視沉積過程中的靶材激光注入量（OTLF），而且可長時間保持激光束光路的清潔
6. 系統使用*的黑體基底加熱設計，高溫下（950°C）可與銀膠兼容使用
根據PLD 客戶的不同需求，提供以下型號：
1．NANO PLD
2．PLD 3000
3．PLD 5000
4．PLD 8000
5．PLD T100
其中NANO PLD 系統簡單、緊湊，具有多種功能，非常適合小型的研發實驗室，大面積 PLD 系統包括PLD 3000，PLD5000，PLD8000 非常適合于大的公共機構，政府實驗室和國防機構的研發和試制生產。PLD T100 系統也就是高溫超導帶涂層系統非常適合于生產高溫超導帶和線纜，目前已有兩套系統賣到日本的國際超導產業技術研究中心超導工學研究所（SRL-ISTEC），而且在高溫超導線纜中獲得了記錄電流密度，創高溫超導線材創新記錄。
大面積PLD 的每個系統的具體一些參數如下：
| 系統 | Z大基底尺寸 | 靶材數目 | 靶材尺寸 | Z大基底溫度 | 溫度的均勻性 | 靶材和基底 之間的Z大距離 |
| Nano-PLD | 2 inches (50 mm) | 3 | 2 inch (75mm) | 850°C/950°C | ±4°C | 100mm |
| PLD3000 | 3 inches (75mm) | 3 | 4 inch (100 mm) | 850°C/950°C | ±3°C | 127mm |
| PLD5000 | 5 inches(125mm) | 3 | 6 inch (150mm) | 850°C/950°C | ±4°C | 152mm |
| PLD8000 | 8 inches(200mm) | 3 | 12 inch(300mm) | 750°C/800°C | ±7°C | 203mm |
這些型號的設備適用于以下的客戶群：
1) 高溫超導研發-----合成新的高溫超導材料或者微調高溫超導材料
2) 高溫超導工業研發-----高溫超導線纜和帶沉積，移動通信的微波過濾器，電力分配網的錯誤電流限制器，超導磁能存儲器(SMES)，超導量子干涉磁量儀元素制作，超導電子配件，磁共振成像應用，磁懸浮如火車
3) 鐵電材料和設備-----使用大面積的PLD 研發
4) 電-光和光學材料-----電鍍鉻材料，電-光材料如PLZT, BST 等
5) 電介材料---如AlN 薄膜
6) 硬質薄膜----如TiCxN(1-x) 薄膜
7) 透明導電氧化物 (TCO) 沉積
8) 測輻射熱敏元素生產商----用于熱跟蹤的熱探測，熱成像，熱度量衡等
9) 制備新材料特別是功能陶瓷
10) 制備納米粒子
11) 基質輔助脈沖激光蒸發(MAPLE)聚合物薄膜
12) 制備用于MRAMs 和錄音磁頭上GMR 的鐵磁材料等
