主要特點:
日立高新超高分辨率冷場發射掃描電子顯微鏡SU9000II是專門為電子束敏感樣品和需300萬倍穩定觀察的半導體器件,高分辨成像所設計。
?新的電子槍和電子光學設計提高了低加速電壓性能。
0.4nm / 30kV(SE)
0.7nm / 1kV(SE)
0.34nm / 30kV(STEM)
?用改良的高真空性能和的電子束穩定性來實現高效率截面觀察。
?采用全新設計的Super E x B能量過濾技術,高效,靈活地收集SE / BSE/ STEM信號。
?STEM的明場像能夠調整信號檢測角度,明場像、暗場像和二次電子圖像可以同時顯示并拍攝照片。
?與FIB兼容的側插樣品桿提高更換樣品效率和高倍率圖像觀察效率。
應用領域:
1. 半導體器件
2. 高分子材料
3. 納米材料
4. 生命科學