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CEL-TPV2000瞬態(tài)表面光電壓譜(TPV/TPC)

參考價(jià)面議
具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
  • 公司名稱北京中教金源科技有限公司
  • 品       牌
  • 型       號(hào)CEL-TPV200
  • 所  在  地北京市
  • 廠商性質(zhì)其他
  • 更新時(shí)間2024/3/7 10:44:28
  • 訪問(wèn)次數(shù)205
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北京中教金源科技有限公司是以實(shí)驗(yàn)儀器研發(fā)和生產(chǎn)的企業(yè)、中關(guān)村企業(yè),注冊(cè)于北京國(guó)際企業(yè)孵化中心(IBI)、中關(guān)村科技園豐臺(tái)園科創(chuàng)中心,實(shí)資注冊(cè)1200萬(wàn)元。中教金源產(chǎn)品以實(shí)驗(yàn)室儀器、實(shí)驗(yàn)光源、光電儀器、光電化學(xué)、催化微反、電池儲(chǔ)能測(cè)試等系統(tǒng)開(kāi)發(fā)為主,服務(wù)中國(guó)科研和教育事業(yè),產(chǎn)品質(zhì)量鑄金,技術(shù)創(chuàng)新立源。  中教金源,與全國(guó)各高校研究所建立了長(zhǎng)久的合作關(guān)系。2010年以來(lái),采用中教金源儀器,發(fā)表的SCI文章千余篇,尤其在客戶化定制及系統(tǒng)搭建上滿足了不同的實(shí)驗(yàn)需求。部分客戶:化學(xué)研究所、國(guó)家納米中心、北京大學(xué)、上海交通大學(xué)、南京大學(xué)、中國(guó)石油大學(xué)、重慶大學(xué)、華南理工大學(xué)、中山大學(xué)、武漢大學(xué)、蘭州大學(xué)、新疆理化所、哈爾濱工業(yè)大學(xué)、黑龍江大學(xué)等千余家單位、研究院所。  產(chǎn)品主要應(yīng)用:實(shí)驗(yàn)室科學(xué)研究、化學(xué)研究、工業(yè)催化、光電化學(xué)、光電測(cè)試分析、生物研究、催化表征、光化學(xué)及光催化、光降解污染物、光降解有害物、光聚合、光電轉(zhuǎn)換、光致變色、太陽(yáng)能電池研究、電池儲(chǔ)能測(cè)試等領(lǐng)域。
離子色譜儀功率
表面光電壓是固體表面的光生伏應(yīng),是光致電子躍遷的結(jié)果。
CEL-TPV2000瞬態(tài)表面光電壓譜(TPV/TPC) 產(chǎn)品信息

背景技術(shù)及優(yōu)勢(shì)

表面光電壓是固體表面的光生伏應(yīng),是光致電子躍遷的結(jié)果。

1876年,W.GAdam就發(fā)現(xiàn)了這一光致電子躍遷現(xiàn)象;

1948年才將這一光生伏應(yīng)作為光譜檢測(cè)技術(shù)應(yīng)用于半導(dǎo)體材料的特征參數(shù)和表面特性研究上,這種光譜技術(shù)稱為表面電壓技術(shù)(Surface Photovoltaic Technique,簡(jiǎn)稱SPV)或表面光電壓譜(Surface Photovoltaic Spectroscopy,簡(jiǎn)稱SPS)。表面光電壓技術(shù)是一種研究半導(dǎo)體特征參數(shù)的途徑,這種方法是通過(guò)對(duì)材料光致表面電壓的改變進(jìn)行分析來(lái)獲得相關(guān)信息的。

1970年,表面光伏研究獲得重大突破,美國(guó)麻省理工學(xué)院Gates教授的研究小組在用低于禁帶寬度能量的光照射CdS表面時(shí),歷史性的次獲得入射光波長(zhǎng)與表面光電壓的譜圖,以此來(lái)確定表面態(tài)的能級(jí),從而形成了表面光電壓這一新的研究測(cè)試手段。

SPV技術(shù)是的固體表面性質(zhì)研究的方法之一,其特點(diǎn)是操作簡(jiǎn)單、再現(xiàn)性好、不污染樣品,不破壞樣品形貌,因而被廣泛應(yīng)用于解析光電材料光生電荷行為的研究中。

SPV技術(shù)所檢測(cè)的信息主要是樣品表層(一般為幾十納米)的性質(zhì),因此不受基底或本體的影響,這對(duì)光敏表面的性質(zhì)及界面電子轉(zhuǎn)移過(guò)程的研究顯然很重要。由于表面電壓技術(shù)的原理是基于檢測(cè)由入射光誘導(dǎo)的表面電荷的變化,其檢測(cè)靈敏度很高,而借助場(chǎng)誘導(dǎo)表面光電壓譜技術(shù)可以用來(lái)測(cè)定半導(dǎo)體的導(dǎo)電類型(特別是有機(jī)半導(dǎo)體的導(dǎo)電類型)、半導(dǎo)體表面參數(shù),研究納米晶體材料的光電特性,了解半導(dǎo)體光激發(fā)電荷分離和電荷轉(zhuǎn)移過(guò)程,實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體的譜帶解釋,并為研究符合體系的光敏過(guò)程和光致界面電荷轉(zhuǎn)移過(guò)程提供可行性方法。

瞬態(tài)吸收光譜研究光生載流子反應(yīng)動(dòng)力學(xué),半導(dǎo)體受激光激發(fā)后產(chǎn)生載流子,在其衰減過(guò)程中可發(fā)生一系列的變化和反應(yīng).時(shí)間分辨紫外可見(jiàn)吸收光譜可監(jiān)測(cè)其隨時(shí)間變化。首先應(yīng)需確定載流子的檢測(cè)波長(zhǎng),光生電子和空穴的特征吸收波長(zhǎng)可調(diào)控電極一種載流子濃度而測(cè)量另一種載流子的瞬態(tài)光吸收與波長(zhǎng)的關(guān)系。


瞬態(tài)表面光電壓譜的應(yīng)用

瞬態(tài)光電壓主要應(yīng)用于半導(dǎo)體材料或者器件的TPV測(cè)試和機(jī)理分析,光催化材料TiO2、C3N4、CdS、磷化物等、催化材料、分子篩、太陽(yáng)能電池(單晶、多晶、染料敏化、鈣鈦礦)、光電化學(xué)的TPV、電化學(xué)材料的TPV等。

產(chǎn)品優(yōu)勢(shì):采用白光偏置光路激發(fā)材料;大功率脈沖激光器;采用專有技術(shù)的電磁屏蔽,無(wú)任何外界干擾;測(cè)試光路,水平與垂直可任意在線切換,實(shí)現(xiàn)固體樣品和液體樣品均可測(cè)試分析。

光生載流子動(dòng)力學(xué)主要測(cè)試技術(shù),載流子動(dòng)力學(xué)測(cè)試技術(shù)主要有電學(xué)和譜學(xué)兩類.電學(xué)方法主要是光電化學(xué),測(cè)量方式又分時(shí)間域和頻率域.時(shí)間域方法主要有瞬態(tài)光電壓(TPV)和瞬態(tài)光電流(TPC),頻率域方法主要有電化學(xué)阻抗譜(EIS)和光強(qiáng)度調(diào)制光電壓譜(IPVS)和光強(qiáng)度調(diào)制光電流譜(IMPS)等.譜學(xué)方法主要是瞬態(tài)吸收光譜和瞬態(tài)熒光光譜。這里主要介紹時(shí)間域的光電化學(xué)測(cè)量方法(以TPV為例)。瞬態(tài)吸收光譜是研究半導(dǎo)體光生載流子動(dòng)力學(xué)過(guò)程和反應(yīng)歷程的強(qiáng)有力手段之一,它可以獲得半導(dǎo)體體內(nèi)光生載流子產(chǎn)生、俘獲、復(fù)合、分離過(guò)程的重要微觀信息。

半導(dǎo)體激光器從某一穩(wěn)定工作狀態(tài)過(guò)渡到另一穩(wěn)定工作狀態(tài)的過(guò)程中所出現(xiàn)的瞬態(tài)現(xiàn)象,或?qū)﹄A躍電流的響應(yīng)。主要有激射延遲、張弛振蕩和自脈動(dòng)。這些現(xiàn)象限制著半導(dǎo)體激光器振幅調(diào)制或頻率調(diào)制的性能,特別是調(diào)制速率。

瞬態(tài)光電壓譜(Transient photovoltage spectrum)給出了不同樣品光生電荷分離的動(dòng)力學(xué)信息, 正向光伏信號(hào)代表光生電子由表面向內(nèi)部轉(zhuǎn)移。 通常半導(dǎo)體材料的瞬態(tài)光伏分為漂移和擴(kuò)散過(guò)程,分別對(duì)應(yīng)短時(shí)間范圍和長(zhǎng)時(shí)間范圍的光伏信號(hào)。


瞬態(tài)表面光電壓工作原理

瞬態(tài)表面光電壓實(shí)驗(yàn)光源為激光器, 脈沖納秒激光經(jīng)棱鏡分光后被分別射入光電倍增管和樣品池中,激光強(qiáng)度通過(guò)漸變圓形中性濾光片進(jìn)行調(diào)節(jié). 光電倍增管記錄參比信號(hào), 樣品信號(hào)經(jīng)放大器的數(shù)字示波器進(jìn)行記錄。 樣品池由具有良好屏蔽電磁噪音的材料制成。樣品池內(nèi)部結(jié)構(gòu)由上至下分別為: 鉑網(wǎng)電極, 云母片, 被測(cè)樣品, FTO電極。



瞬態(tài)光電壓研究光生電子的傳輸行為,其光電壓響應(yīng)包括上升和衰退兩部分,光電壓上升部分在物理上對(duì)應(yīng)于TiO電極導(dǎo)電基底電子濃度增加(類似于電容充電過(guò)程),此過(guò)程由光生電子擴(kuò)散到達(dá)基底引起,光電壓下降部分主要對(duì)應(yīng)于電子離開(kāi)導(dǎo)電基底的復(fù)合過(guò)程(類似于電容放電過(guò)程)。瞬態(tài)表面光電壓譜光生載流子動(dòng)力學(xué);瞬態(tài)光電壓研究光生電子的傳輸行為。

技術(shù)參數(shù):

項(xiàng)目

參數(shù)

激光器

Nd:YAG脈沖納秒激光器(整機(jī))

激光器參數(shù)

波長(zhǎng)1064nm@320mJ;532nm@180mJ;355nm@60mJ;266nm@40mJ;脈沖寬度 (1064 nm) 10 - 14 ns;控溫精度0.05℃;內(nèi)部預(yù)熱器,可快速預(yù)熱

OPO激光器(選配)

波長(zhǎng)范圍:210-2200nm連續(xù)可調(diào),計(jì)算機(jī)控制波長(zhǎng)調(diào)節(jié),峰值能量輸出>20mJ,重復(fù)頻率20HZ

系統(tǒng)時(shí)間分辨率

5ns

探測(cè)靈敏度

0.1mOD

數(shù)據(jù)采集

12bit/16bit高分辨率數(shù)字示波器

光路

采用全封閉結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì),無(wú)任何外部環(huán)境干擾

樣品室

激光耦合裝置;激光光斑聚焦調(diào)整;水平及垂直光路切換;可調(diào)光闌;匹配固體粉末及液體樣品池的光路結(jié)構(gòu)

標(biāo)配三明治結(jié)構(gòu)樣品池,可根據(jù)要求定制樣品空間,允許進(jìn)行更多實(shí)驗(yàn)環(huán)境的光路定制,如支持低溫樣品環(huán)境、顯微鏡微區(qū)光譜、強(qiáng)磁場(chǎng)環(huán)境等。

光功率計(jì)

測(cè)試波長(zhǎng)范圍190-11000nm,功率范圍0-2000mw; 配合軟件實(shí)時(shí)數(shù)據(jù)采集,軟件還內(nèi)置了量子效率計(jì)算功能

軟件

軟件集成控制脈沖激光器、OPO激光器、數(shù)據(jù)同步、數(shù)據(jù)采集、數(shù)據(jù)放大、數(shù)據(jù)分析、全自動(dòng)處理、數(shù)據(jù)導(dǎo)出等功能。

支持單次采集,多次積分平均,本底扣除等;

2D瞬態(tài)光電壓譜,壽命曲線擬合;

支持3D變波長(zhǎng)瞬態(tài)光電壓譜顯示。


太陽(yáng)能電池光電壓譜

關(guān)鍵詞:SPS TPV TPC
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