單面光刻機系統，本系統針對各大專院校、企業及科研單位，對光刻機使用特性研發的一種高精度光刻系統。
一、單面光刻機系統技術參數
1.曝光時間調解器：0.1至999.9秒(可調節精度0.1s)；
2.365-400nm光強傳感及電源供應控制電路及反饋閉環；
3.聲控功率警報裝置可防止系統功率超過設定指標；
4.有安全保護裝置的溫度及其氣流傳感器；
5.全景準直透鏡光線偏差半角: <1.84度；
6.波長濾片檢查及安裝裝置；
7.抗衍射反射功能高效反光鏡；
8.二向色的防熱透鏡裝置；
9.防汞燈泄漏裝置；
10.配備蠅眼棱鏡裝置；
11.配備近紫外（或深紫外）光源
--220nm輸出強度–大約8-10 mW/cm2
--254nm輸出強度–大約12-14 mW/cm2
--365nm輸出強度–大約18-20 mW/cm2
--400nm輸出強度–大約30-35 mW/cm2
12.主要配置：6“，8”光源系統，可支持2“，3”，4“，6”，8“（圓/方片）及碎片光刻。
13.手動系統，半自動系統。
14.支持電源350-2000 。
15.支持深紫外近紫外波長（可選項）。
16.支持背后對準及MEMS工藝要求。
17.CCD或顯微鏡對準系統。
18.主要性能指標：光強均勻性Beam Uniformity:--<±1% over 2”。 區域，--<±2% over 4”區域，--<±3% over 6”區域。
19.接觸式樣曝光特征尺寸CD(近紫外NUV）：0.5 um。
20.接觸式樣曝光特征尺寸CD（深紫外DUV）：0.35 um。
21.支持接近式曝光，特征尺寸CD：--0.8um 硬接觸，--1um 20um間距時，--2um50um間距時，正面對準精度±0.5um，背面對準精度±1um--±2um（Depends on user），支持正膠、負膠及Su8膠等的厚膠光刻，特征尺寸：100um-300um，支持LED優異電流控制技術PSS工藝光刻，支持真空、接近式、接觸式曝光，支持恒定光強或恒定功率模式。
二、主要用途
⒈ 本機針對各大專院校、企業及科研單位，對光刻機使用特性研發的一種高精度光刻機。
⒉ 由于本機找平機構先進，找平力小、使本機不僅適合單晶硅片、玻璃片、陶瓷片、銅片、不銹鋼片、寶石片的曝光，而且也適合易碎片如砷化鉀、磷化銦等基片、的曝光以及非圓形基片和小型基片的曝光。
3.工作方式 ：本機為單面對準、單面曝光。
三、主要構成：主要由高精度對準工作臺、雙目分離視場顯微鏡顯示系統、曝光頭、氣動系統、真空管路系統、直聯式無油真空泵、防震工作臺和附件等組成。
四、主要功能特點
1.適用范圍廣：適用于Φ100mm以下，厚度5mm以下的各種基片(包括非圓形基片)的對準曝光。
2.結構先進：具有半球式找平機構和可實現真空硬接觸、軟接觸、微力接觸的真空密著機構。
3.操作簡便：采用翻板方式取片、放片；按鈕、按鍵方式操作，可實現真空吸版、吸片、吸浮球、吸掃描鎖等功能，操作、調試、維護、修理都非常簡便。
4.可靠性高：采用進口電磁閥、按鈕、定時器；采用dute的氣動系統、真空管路系統和精密的機械零件，使本機具有非常高的可靠性。
5.特設“碎片”處理功能：解決非圓形基片、碎片和底面不平的基片造成的版片分離不開所引起的版片無法對準的問題。
