直探頭 直探頭也稱平探頭，可發射及接受縱波。直探頭主要由壓電晶片、阻尼塊（吸收塊）及保護膜組成。（1）壓電晶片 壓電晶片的厚度與超聲頻率成反比。（2）保護膜 直探頭為避免晶片與工件直接接觸而磨損晶片，在晶片下粘合一層保護膜，有軟性保護和硬性保護兩種。（3）阻尼塊 阻尼塊又名吸收塊，其作用為降低降低晶片的機械品質系數，吸收聲能量。如果沒有阻尼塊，電振蕩脈沖停止時，壓電晶片因慣性作用，仍繼續振動，加長了超聲波的脈沖寬度，使盲區增大，分辨力差。
斜探頭 超聲波探傷儀斜探頭可發射及接收橫波。斜探頭主要由壓電晶片、阻尼塊和斜楔塊組成。晶片產生縱波，經斜楔傾斜入射到被測工件中，轉換為橫波。斜楔為有機玻璃，被測工件為鋼，斜探頭的角度（即入射角）在28°~61°之間時，在鋼中可產生橫波。斜楔的形狀應使聲波在斜楔中傳播時不得返回晶片，以免出現雜波。直探頭在液體中傾斜入射工件時，也能產生橫波。
雙探頭 超聲波探傷儀雙探頭又稱組合探頭，兩塊壓電晶片裝在一個探頭架內，一個晶片發射，另一個接收。雙探頭發射及接收縱波，晶片下的延遲塊使聲波延遲一段時間后射入工件，這樣可探測近表面的缺陷并可提高分辨力。兩塊晶片有一傾角（一般約3°~18°），兩晶片聲場重合部分（陰影部分），是探傷靈敏度較高的部位。
單晶直探頭
|
型號 |
頻率 |
晶片尺寸 |
近場長度 |
連接端口 | ||
|
MHz |
mm |
In |
mm |
In | ||
| 2M10N | 2 | 10 | 0.39 | 8 | 0.3 | LEMO00(C5) |
| 4M10N | 4 | 10 | 0.39 | 17 | 0.7 | LEMO00(C5) |
| 2.5M10N | 2.5 | 10 | 0.39 | 11 | 0.4 | BNC(Q9) |
| 5M10N | 5 | 10 | 0.39 | 21 | 0.8 | BNC(Q9) |
| 10M10N | 10 | 10 | 0.39 | 42 | 1.7 | BNC(Q9) |
| 2M14N | 2 | 14 | 0.55 | 17 | 0.7 | LEMO00(C5) |
| 2M14N | 2 | 14 | 0.55 | 17 | 0.7 | LEMO00(C5) |
| 2M14N | 2 | 14 | 0.55 | 17 | 0.7 | LEMO00(C5) |
| 2M14N | 2 | 14 | 0.55 | 17 | 0.7 | LEMO00(C5) |
| 1M20N | 1 | 20 | 0.79 | 17 | 0.7 | LEMO00(C5) |
| 2M20N | 2 | 20 | 0.79 | 34 | 1.3 | LEMO00(C5) |
| 4M20N | 4 | 20 | 0.79 | 68 | 2.7 | LEMO00(C5) |
| 2.5M20N | 2.5 | 20 | 0.79 | 42 | 1.7 | BNC(Q9) |
| 5M20N | 5 | 20 | 0.79 | 85 | 3.3 | BNC(Q9) |
雙晶直探頭
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型號 |
頻率 |
晶片尺寸 |
焦距 | ||
|
MHz |
mm |
In |
mm |
In | |
| 2M11FG8 | 2 | Ф11/2 | 0.43 | 8 | 0.3 |
| 2M12FG10 | 2 | Ф12/2 | 0.7 | 10 | 0.4 |
| 4M3.5×10FG10 | 4 | 3.5*10 | 0.14*0.39 | 10 | 0.4 |
| 4M3.5×10FG18 | 4 | 3.5*10 | 0.14*0.39 | 18 | 0.7 |
| 5M10FG10 | 5 | Ф10/2 | 0.39 | 10 | 0.4 |
| 2.5M20FG10 | 2.5 | Ф20/2 | 0.79 | 10 | 0.4 |
| 2.5M20FG15 | 2.5 | Ф20/2 | 0.79 | 15 | 0.6 |
| 2.5M20FG20 | 2.5 | Ф20/2 | 0.79 | 20 | 0.8 |
| 2.5M20FG30 | 2.5 | Ф20/2 | 0.79 | 30 | 1.2 |
| 5M20FG10 | 5 | Ф20/2 | 0.79 | 10 | 0.4 |
| 5M20FG15 | 5 | Ф20/2 | 0.79 | 15 | 0.6 |
| 5M20FG20 | 5 | Ф20/2 | 0.79 | 20 | 0.8 |
| 5M20FG30 | 5 | Ф20/2 | 0.79 | 30 | 1.2 |
單晶斜探頭等
袋裝探頭
