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牛津儀器等離子體增強化學氣相沉積系統(PECVD) PlasmaPro 100

參考價面議
具體成交價以合同協議為準
  • 公司名稱上海繪吉電子科技有限公司
  • 品       牌
  • 型       號
  • 所  在  地上海市
  • 廠商性質其他
  • 更新時間2022/9/9 8:32:30
  • 訪問次數403
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上海繪吉電子科技有限公司主要代理歐、美、日及科學儀器、工業質檢儀器及相關消耗品,專業涉及高校、新能源、鋼鐵行業、科研研究及輕工化工、在國內特別是華東地區具有廣泛的客戶基礎和良好的商業信譽。經過幾年的發展,繪吉公司已經在同行業中確立了多方面的好的地位,無論在公司規模、人員素質、經營品種、銷售能力和售后服務等各方面獲得了同行及用戶的廣泛認可。 上海繪吉電子科技有限公司從事分析類儀器(熒光光譜儀,質譜儀,粒度儀,真空系列等分析類設備),電池材料制備設備,實驗室儀器,理化分析類儀器,微生物儀器,生理儀器及實驗室耗材。。上海繪吉電子科技有限公司從事分析類儀器(熒光光譜儀,質譜儀,粒度儀等分析類設備),德國普發真空設備,電池材料制備設備,實驗室儀器,理化分析類儀器,微生物儀器,生理儀器及實驗室耗材。上海繪吉-德國普發真空Pfeiffer Vacuum-作為的真空技術解決方案的供應商之一。我們不僅擁有全系列的混合軸承及全磁懸浮渦輪分子泵, 同時還擁有各種旋片泵,干泵,羅茨泵,氦氣質譜檢漏儀,真空規,四級質譜儀等產品以及真空管件和綜合真空系統。 從普發1958年發明渦輪分子泵至今, 我們在分析、研發、鍍膜、太陽能、半導體和其他工業領域,始終代表著創新的解決方案、高品質、穩定可靠的產品和的服務。公司自1890年創立至今百余年,現有將近2300名員工,20多家分公司遍布,并且在德國、法國、羅馬尼亞、韓國設有生產制造基地。隨著中國綜合國力的提升,產業結構升級,以及對節能減排,科研和高精尖制造工藝的強烈需求,對真空技術的需求也在不斷的提升。作為德國 Pfeiffer Vacuum GmbH 的全資子公司,普發真空技術上海有限公司 Pfeiffer Vacuum (Shanghai) Co., Ltd. 于 2007 年正式入駐中國上海,標志著普發真空在中國的業務已經初具規模,以及公司對中國持續增長的信心。公司現坐落于上海市浦東新區世紀公園附近,并且在江蘇無錫建有 4000m2 的售后服務工廠。上海繪吉電子科技有限公司獲得深圳科晶智達科技有限公司一級代理權,科晶為研究新一代可充電電池,超級電容器與快速儲能材料提供最完整的成套解決方案。方案定位于鋰電池的研究市場,主要為大專院校、科研院所以及生產企業提供實驗室用的小型混壓設備和機械加工與測試等一系列產品,提供研發環節所需的電池能源材料制備相關設備產品與成套實驗室方案:“混料-燒料-分析-涂層-成型-封裝-測試”設備:球磨機、高溫高壓爐、材料分析儀、涂層機、軋機、切片機、封裝機、電池分析儀等。上海繪吉電子科技有限公司成功和進口公司合作。德國普發真空設備,德國布魯克儀器有限公司,分析儀器有限公司,美國PE公司,美國熱電儀器有限公司,天美科技有限公司,島津,萊卡儀器,日本horriba,梅特勒等進口公司
激光拉曼光譜,分子熒光光譜,激光粒度儀
牛津儀器等離子體增強化學氣相沉積系統(PECVD) PlasmaPro 100
牛津儀器等離子體增強化學氣相沉積系統(PECVD) PlasmaPro 100 產品信息

System 100 -等離子刻蝕與沉積設備

   該設備是一個靈活和功能強大的等離子體刻蝕和淀積工藝設備。 采用真空進樣室進樣可進行快速的晶片更換、采用多種工藝氣體并擴大了允許的溫度范圍。

 
  具有的工藝靈活性,適用于化合物半導體,光電子學,光子學,微機電系統和微流體技術, PlasmalabSystem100可以有很多的配置,詳情如下。


主要特點

  • 可處理8 "晶片,也具有小批量(6 × 2")預制和試生產的能力

  • 選擇單晶片/批處理或盒式進樣,采用真空進樣室。 該PlasmalabSystem100可以集成到一個集群系統中,采用機械手傳送晶片,生產工藝中采用全片盒到片盒晶片傳送. 采用一系列的電極進行襯底溫度控制,其溫度范圍為-150 ° C至700° C

  • 用于終端檢測的激光干涉和/或光發射譜可安裝在Plasmalab System100以加強刻蝕控制

  • 選的6 或12路氣箱為工藝流程和工藝氣體提供了選擇上的靈活性,并可以放置在遠端,遠離主要工藝設備


工藝
一些使用Plasmalab System100等離子刻蝕與沉積設備的例子:

  • 低溫硅刻蝕,深硅刻蝕和SOI工藝,應用于MEMS ,微流體技術和光子技術

  • 用于激光器端面的III - V族刻蝕工藝,通過刻蝕孔、光子晶體和許多其他應用,材料范圍廣泛(InP, InSb, InGaAsP, GaAs, AlGaAs, GaN, AlGaN,等)

  •  GaN、AlGaN等的預生產和研發工藝,比如HBLED和其它功率器件的刻蝕

  • 高品質,高速率SiO2沉積,應用于光子器件

  • 金屬(Nb, W)刻蝕


    的單晶片刻蝕技術-PlasmaPro100 Sapphire。牛津儀器致力于固態照明的技術革新,憑著在HBLED相關材料方面經驗豐富,設備使用成本控制和符合產量要求的同時,我們的新技術還可以地提高客戶的產品良率。
    針對HBLED茍刻的化學環境要求,PlasmaPro100 Sapphire具有特殊的設計,可以在直徑為200mm的晶片上進行快速和均勻的刻蝕。牛津儀器一直努力地為客戶提供創新的、有效控制成本和可靠的工藝方案。這個設計的設備滿足了所有的要求。
   主要特點和優勢包括:具有的靜電吸盤技術,能固定藍寶石,和生長藍寶石或硅上的氮化鎵;高功率的ICP能生產出高密度的等離子體;磁隔離區可提高離子控制和均勻性;高電導泵水系統可以在低壓下地運送氣體。

關鍵詞:機械手
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