名稱(chēng)（Name）

真空式等離子處理系統(tǒng)

型號(hào)（Model）

CRF-VPO-4L-S

控制系統(tǒng)（Control system）

PLC+觸摸屏

電源（Power supply）

380V/AC,50/60Hz, 3kw

中頻電源功率（RF Power）

1000W/40KHz/13.56MHz

容量（Volume ）

30L(Option)

層數(shù)（Electrode of plies ）

4(Option)

有效處理面積（Area）

200(L)*150(W)(Option)

氣體通道（Gas）

兩路工作氣體可選：Ar、N2、CF4、O2

產(chǎn)品特點(diǎn)

超大處理空間，提升處理產(chǎn)能，采用PLC+觸摸屏控制系統(tǒng)，精準(zhǔn)的控制設(shè)備運(yùn)行；

可按照客戶(hù)要求定制設(shè)備腔體容量和層數(shù)，滿(mǎn)足客戶(hù)的需求；保養(yǎng)維修成本低，便于客戶(hù)成本控制；

高精度，快響應(yīng)，良好的操控性和兼容性，完善的功能和專(zhuān)業(yè)的技術(shù)支持。
 
應(yīng)用范圍

真空等離子清洗機(jī)適用于印制線(xiàn)路板行業(yè)，半導(dǎo)體IC領(lǐng)域、硅膠、塑膠、聚合體領(lǐng)域，汽車(chē)電子行業(yè)，航空工業(yè)等。印制線(xiàn)路板行業(yè)：高頻板表面活化，多層板表面清潔、去鉆污,軟板、軟硬結(jié)合板表面清潔、去鉆污，軟板補(bǔ)強(qiáng)前活化。半導(dǎo)體IC領(lǐng)域：COB、COG、COF、ACF工藝，用于打線(xiàn)、焊接前的清洗；硅膠、塑膠、聚合體領(lǐng)域硅膠、塑膠、聚合體的等離子表面粗化、刻蝕、活化。

等離子體處理技術(shù)已是一種不可替代的成熟工藝

在IC芯片制造領(lǐng)域中，等離子體處理技術(shù)已是一種不可替代的成熟工藝，不論在芯片源離子的注入，還是晶元的鍍膜，亦或是我們的低溫等離子體表面處理設(shè)備所能達(dá)到的：在晶元表面去除氧化膜、有(機(jī))物、去掩膜等超凈化處理及表面活(化)提高晶元表面浸潤(rùn)性。
等離子體應(yīng)用包括用于晶圓級(jí)封裝的等離子體晶圓清洗、焊前芯片載體等離子體清洗、封裝和倒裝芯片填充。微波平面等離子體系統(tǒng)是專(zhuān)為大基板的均勻處理而設(shè)計(jì)的，可擴(kuò)展到更大的面板尺寸。引進(jìn)300毫米晶圓對(duì)裸晶圓供應(yīng)商提出了新的更高的標(biāo)準(zhǔn)要求：通過(guò)將直徑從200毫米增加到300毫米，晶圓的表面積和重量增加了一倍多，但厚度卻保持不變。這大大增加了破碎險(xiǎn)。300毫米晶圓具有高水平的內(nèi)部機(jī)械張力（應(yīng)力），這大大增加了集成電路制造過(guò)程中的斷裂概率。這有明(顯)的代價(jià)高昂的后果。因此，應(yīng)力晶圓的早期檢(測(cè))和斷裂預(yù)防近年來(lái)受到越來(lái)越多的關(guān)注。此外，晶圓應(yīng)力對(duì)硅晶格特性也有負(fù)面影響。sird是晶圓級(jí)的應(yīng)力成像系統(tǒng)，對(duì)降(低)成本和提高成品率做出了重大貢獻(xiàn)。