超薄晶圓平坦化加工夾持的方法與流程。目前國外對于LT薄片加工的方法為雙面拋光后進(jìn)行單面粗化來達(dá)到制程應(yīng)用的需求，但此種工藝需對晶片進(jìn)行雙面拋光加工，加工時間與成本上升許多，且難以保證單面粗化的過程對于晶片另一表面不會造成損傷。

　　國內(nèi)另有一種現(xiàn)有工法為單面拋光制程，該制程利用上蠟或者吸附墊方式將晶片固定住，然而此作法做出來的晶片平坦度水準(zhǔn)較雙拋工藝差，常常造成后段黃光微影制程的困擾，致使晶片表現(xiàn)不佳亦或是短路。

　　雙拋工藝受限夾治具的剛性強(qiáng)度要求，晶片越往薄化發(fā)展代表對應(yīng)的夾具需要更薄，此時夾具剛性已無法提供穩(wěn)定的加工保證，其時成品率將大幅降低或者加工成本會大幅上升。

　　使用上蠟將晶片固定的作法也容易因?yàn)樯舷孪炛瞥唐毡樾枰郎鼗蚪禍卮偈股頌閴弘姴牧系腖T發(fā)生破碎，尤其是晶片厚度較薄時。

　　使用吸附墊方式將晶片固定的作法也無法將晶片做薄，主要原因?yàn)長T晶片材質(zhì)易碎薄化過程中背面使用軟的吸附墊晶片容易造成形變發(fā)生碎片。

　　上述的幾項(xiàng)傳統(tǒng)加工工藝無法達(dá)到LT晶片厚度<200um，且平坦度在5mm2<0.5um，PLTV>95%穩(wěn)定產(chǎn)品品質(zhì)要求，為此，我們提出一種超薄晶圓平坦化加工夾持的方法。

友碩ELT晶圓平坦化設(shè)備：

　　?很好的螢光膜涂佈方案，精準(zhǔn)控制厚度，達(dá)到理想中BIN率

　　?很具價格競爭性的CSP製程

　　?輕易實(shí)現(xiàn)MiniLED 拼接問題

　　?解決MicroLED Mass Transfer 良率問題

　　?LED 偏黃報廢品重工

　　?實(shí)踐各種結(jié)構(gòu)的可行性 (阻水結(jié)構(gòu)、Bump結(jié)構(gòu))

　　?解決料帶靜電吸附的問題