1.介電常數(shù)介質(zhì)損耗測試儀范圍
1.1 本試驗方法包含當所用標準為集成阻抗時，實心電絕緣材料樣本的相對電容率，耗散因子，損耗指數(shù)，功率因子，相位角和損耗角的測定。列出的頻率范圍從小于1Hz到幾百兆赫茲。
注1：在普遍的用法，“相對”一詞經(jīng)常是指下降值。
1.2 這些試驗方法提供了各種電極，裝置和測量技術(shù)的通用信息。讀者如對某一特定材料相關(guān)的議題感興趣的話，必須查閱ASTM標準或直接適用于被測試材料的其它文件。2,3
1.3  本標準并沒有*列舉所有的安全聲明，如果有必要，根據(jù)實際使用情況進行斟酌。使用本規(guī)范前，使用者有責任制定符合安全和健康要求的條例和規(guī)范，并明確該規(guī)范的使用范圍。特殊危險說明見7.2.6.1和10.2.1。
1 本規(guī)范歸屬于電學和電子絕緣材料ASTM *09委員會管轄，并由電學試驗D09.12附屬委員分會直接管理。
當前版本核準于2011年8月1日。2011年8月發(fā)行。原版本在1922年批準。前一版本于2004年批準，即為 D150-98R04。DOI：10.1520/D0150-11。
2 R. Bartnikas, 第2章, “交流電損耗和電容率測量,” 工程電介質(zhì), Vol. IIB, 實心絕緣材料的電學性能, 測量技術(shù), R. Bartnikas, Editor, STP 926,ASTM, Philadelphia, 1987.
3 R. Bartnikas, 第1章, “固體電介質(zhì)損耗,” 工程電介質(zhì),Vol IIA, 實心絕緣材料的電學性能: 分子結(jié)構(gòu)和電學行為, R. Bartnikas and R. M. Eichorn, Editors, STP 783, ASTM, Philadelphia, 1983.
介電常數(shù)介質(zhì)損耗測試儀2.引用文件
2.1 ASTM標準：4
D374     固體電絕緣材料厚度的標準試驗方法
D618     試驗用塑料調(diào)節(jié)規(guī)程
D1082    云母耗散因子和電容率（介電常數(shù)）試驗方法
D1531    用液體位移法測定相對電容率（介電常數(shù)）與耗散因子的試驗方法
D1711    電絕緣相關(guān)術(shù)語
D5032    用飽和甘油溶液方式維持恒定相對濕度的規(guī)程
E104     用水溶液保持相對恒定濕度的標準實施規(guī)程

E197     室溫之上和之下試驗用罩殼和服役元件規(guī)程（1981年取消）5

 在每個高壓實驗室和試驗中，壓縮氣體標準電容器是一種必要的儀器。在這些場合中，它有許多重要的作用。在電橋電路中壓縮氣體電容器被用來測量電容器、電纜、套管、絕緣子、變壓器繞組及絕緣材料的電容和介質(zhì)損耗角正切值（tgδ）。而且，還可以用作高壓測量電容分壓裝置的高壓電容。在某些條件下，還可以在局部放電測量中作高壓耦合電容器。
電容極穩(wěn)定。
氣壓和溫度的變化對電容的影響可以忽略。
介質(zhì)損耗極小。
1-2電橋的特點；
 橋體內(nèi)附電位跟蹤器及指零儀，外圍接線及少。
電橋采用接觸電阻小，機械壽命長的十進開關(guān)，保證測量的穩(wěn)定性 
儀器具有雙屏蔽，能有效防止外部電磁場的干擾。
儀器內(nèi)部電阻及電容元件經(jīng)特殊老化處理，使儀器技術(shù)性能穩(wěn)定可靠。
內(nèi)附高壓電源精度3%
內(nèi)附標準電容損耗﹤0.00005，名義值100pF
電容器薄膜工頻介電常數(shù)測試儀
二、技術(shù)指標
◆測量范圍及誤差
本電橋的環(huán)境溫度為20±5℃，相對濕度為30%-80%條件下，應滿足下列表中的技術(shù)指示要求。

電容器安裝運行海拔不超過1000米 使用周圍空氣溫度-10℃~40℃相對濕度不超過70%。
電容器的工作頻率 50Hz。
電容器實測值誤差不大于±0.05% 與標稱值誤差不大于±3%
電容器溫度系數(shù) ≤ 3×10-5 /℃

損耗角（缺相角），（δ），名詞——該角度的正切值為耗散因子或反正切值K''/K'或者其余切值為相位角。

 討論——相位角和損耗角的關(guān)系見圖1和圖2所示。損耗角有時成為缺相角。

討論——a——它可以表示為：
K''=K' D=功率損耗/（E2×f×體積×常數(shù)）    (7)