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DGMOFET(Dual-gate MOSFET)是一種有兩個柵極的MOSFET。
DNAFET是一種用作生物感應器的特殊FET,它通過用單鏈DNA分子制成的柵極去檢測相配的DNA鏈。
FREDFET(Fast Recovery Epitaxial Diode FET)是一種用于提供非常快的重啟(關閉)體二極管的特殊FET。
HEMT(高電子遷移率晶體管,High Electron Mobility Transistor),也被稱為HFET(異質結場效應晶體管,heterostructure FET),是運用帶隙工程在三重半導體例如AlGaAs中制造的。*耗盡寬帶隙造成了柵極和體之間的絕緣。
IGBT(Insulated-Gate Bipolar Transistor)是一種用于電力控制的器件。它和類雙極主導電溝道的MOSFET的結構類似。它們一般用于漏源電壓范圍在200-3000伏的運行。功率MOSFET仍然被選擇為漏源電壓在1到200伏時的器件.
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